CVD（Chemical Vapor Deposition）和MOCVD（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition）是兩種常用的化學氣相沉積技術(shù)，用于制備薄膜,、涂層和納米材料等,。

CVD是一種通過在反應(yīng)室內(nèi)將反應(yīng)物質(zhì)以氣體形式傳輸并在襯底表面發(fā)生化學反應(yīng)，從而在襯底上形成所需材料的方法,。該過程涉及到化學反應(yīng),、氣體輸運和表面擴散等多個步驟。在CVD過程中,，通過控制反應(yīng)氣體的組成,、流速、溫度和壓力等參數(shù),，可以實現(xiàn)對所生長材料的成分,、結(jié)構(gòu)和性能的精確控制。

而MOCVD是一種特殊的CVD技術(shù),，主要用于生長復雜化合物薄膜,，如半導體材料、光電材料等,。MOCVD利用金屬有機前驅(qū)物（通常是金屬有機化合物）和載氣（如氫氣,、氮氣）在高溫條件下反應(yīng)，使金屬有機前驅(qū)物分解并釋放金屬原子,，然后這些金屬原子與載氣中的其他氣體反應(yīng),，最終在襯底表面形成所需薄膜。

CVD,，MOCVD專用氫氣發(fā)生器由超純水機制取二級水,，并儲存至水箱備用。氫氣發(fā)生器缺水時,，自動供給至氫氣發(fā)生器,。多臺氫氣發(fā)生器可串聯(lián)使用，通過串聯(lián)控制線由一臺發(fā)生器控制其他發(fā)生器,，實現(xiàn)產(chǎn)氣均勻分配,。（以兩臺設(shè)備為例控制圖如下）